发布时间：2010-02-25 12:02:11
***放电模式(Human-Body Model, HBM)产生的ESD是指因***在地上走动磨擦或其他因素在***上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，***上的静电便会经由电子元器件而进入电子元器件内，再经由电子元器件放电到地去，如图1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把电子元器件内的元件烧毁。 不同HBM静电电压相对产 生的瞬间放电电流与时间的关系见于图1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。
CLASSIFICATION
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Sensitivity
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Class1
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0 to 1,999Volts
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Class2
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2,000 to3,999 Volts
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Class3
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4,000 to15,999 Volts
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